Szupergyors memóriát készített az Intel és a Micron

Az un. “nem felejtő” memória egyedi anyagokból készül, a mostaniaknál ezerszer gyorsabb és tízszer nagyobb adatsűrűségű.

Az Intel és a Micron által bemutatott 3D Xpoint márkanév egy olyan nem felejtő memóriát takar, amely a cégek közleménye szerint forradalmi átalakulást hozhat bármely olyan berendezésnél, alkalmazásnál vagy szolgáltatásnál, amely a nagyméretű adathalmazokhoz való gyors hozzáférést igényel. A technológia permanens (nem felejtő) természetének köszönhetően nagyszerű választás lehet egy sor kis késleltetésű tároló alkalmazáshoz is, hiszen az adatok nem törlődnek, amikor a készüléket kikapcsoljuk. A már gyártásban lévő technológia az első új memória kategória a NAND flash memória 1989-es megjelenése óta. Ezerszer gyorsabb működésre képes, és akár ezerszer tartósabb , mint a NAND, valamint tízszer nagyobb adatsűrűséget biztosít, mint a hagyományos memóriák.

“Az iparág évtizedekig kereste annak a módját, hogy miként lehetne lecsökkenteni a processzor és a memória közötti adatátvitelnél jelentkező időkiesést, s ezzel sokkal gyorsabb elemzést téve lehetővé” – mondta Rob Crooke, az Intel Non-Volatile Memory Solutions Group elnökhelyettese és ügyvezetője. “A nem felejtő memóriák ezen új kategóriája teljesíti ezt a célt, és képes megváltoztatni a szabályokat a memória és az adattároló megoldások terén. “Az egyik legfontosabb akadály a modern számítástechnikában az az idő, amelyre a processzornak a hosszú távú tárolókon tárolt adatok eléréséhez van szüksége” – mondta Mark Adams, a Micron elnöke. “A nem felejtő memóriák ezen új kategóriája olyan forradalmian új technológiát jelent, amely a roppant méretű adathalmazokhoz való gyors hozzáférést, és teljesen új alkalmazások használatát tesz lehetővé.”

A tranzisztormentes keresztpontos architektúra háromdimenziós tömböt hoz létre, ahol a memóriacellák a bitvonalak és a szóvonalak metszéspontjában találhatók, így téve lehetővé az egyes cellák egyedi címzését. Minden egyes memóriacella egy bit méretű adatot tárol. Ennek eredményeképpen az adatokat kis méretben lehet írni és olvasni, ez pedig gyorsabb és hatékonyabb adatolvasási/-írási műveleteket jelent. A memóriacellák több rétegbe egymásra helyezhetők. A technológia jelenleg 128 Gb tárolókapacitást nyújt két memóriarétegben, de az újabb generációk tovább növelhetik a memóriarétegek számát a hagyományos litográfiai eljárások mellett, ezzel is tovább növelve a rendszer kapacitását.

A memóriacellákhoz az egyes kiválasztók feszültségének módosításával lehet hozzáférni, illetve így lehet őket írni/olvasni. Ez szükségtelenné teszi a tranzisztorok alkalmazását, ezzel is tovább növelve a kapacitást és csökkentve a költségeket. A kis cellaméretnek, az alacsony várakozási idejű keresztpontos elrendezésnek és gyors írási algoritmusnak köszönhetően a cella gyorsabb állapotváltásra képes, mint bármely más jelenleg létező nem felejtő memória technológia. A 3D XPoint technológia az év hátralevő részében jelenhet meg néhány kiválasztott vevőnél, az Intel és a Micron pedig a technológiára épülő egyedi termékeket fejleszt.

forrás: sg.hu

Vélemény, hozzászólás?

Az email címet nem tesszük közzé. A kötelező mezőket * karakterrel jelöljük.